k3878场效应管参数

漏源极击穿电压：900V

导通电阻：1Ω

栅源极击穿电压：30V

栅极电荷：60nC

功率耗散：150W

最大工作温度：+150°C

封装：TO-3P-3

下降时间：20ns

正向跨导最小值：7S

最小工作温度：-55°C

上升时间：25ns

东芝K3878是一款N通道金属氧化物场效应管，具有以下参数：

漏极电流（Id）：连续最大9A

漏源极击穿电压（Vds）：900V

漏源导通电阻（Rds On）：1Ω

栅源极击穿电压（Vgs）：最大30V

栅极电荷（Qg）：60nC

功率耗散（Pd）：最大150W

最大工作温度：+150°C

封装：TO-3P-3

下降时间：20ns

正向跨导最小值：7S

最小工作温度：-55°C

上升时间：25ns

该场效应管还带有保护二极管，适用于开关电源等应用场合。

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